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集群。中国半导体行业协会评选的*年全国第三代半导体最具竞争力*大产业园区,长三角地区*家,分别为苏州工业园、上海临港新片区、无锡国家集成电路设计中心;泛珠三角地区*家,分别为深圳宝安区第三代半导体Idm产业园、厦门高新区;成渝地区*家,分别为重庆西永微电子产业园、成都高新区;京津冀地区*家,分别为北京顺义区、河北鹿泉经济开发区;中西部地区*家,即西安高新区。从龙头企业来看。目前,国内第三代半导体主要制造商共*家,主要分布在江苏、广东、北京。碳化硅产业链相关公司共*家,其中上市公司*家,全产业链企业(生产设备、衬底、外延、器件)有三安集成、中电科*所、中电科*所等。氮化镓产业链相关公司有*家,其中上市公司*家,全产业链公司仅有英诺赛科*家。从重大项目投资来看。近年来,国内龙头企业发展态势迅猛,在下游器件环节多个细分领域取得关键技术突破,已经具备了与国际龙头企业竞争的技术实力。比如,英诺赛科建成中国首条*英寸硅基氮化镓外延与芯片大规模量产生产线,截至目前已经实现超过*亿颗氮化镓芯片的出货量,有望在今年实现全球出货量第一;山东天岳在半导体绝缘型碳化硅衬底市场出货量国内第一、全球第三。二、第三代半导体产业的发展趋势基于第三代半导体产业特点,结合调研情况,对第三代半导体产业未来发展趋势形成了*点判断:(一)第三代半导体产业发展呈现出明显的应用牵引的特点,国内市场将会在相当长一段时间内保持较高增速。主要原因有三个方面:一是第三代半导体产品在消费类电子产品、新能源汽车、5G移动通信、高效智能电网等领域展示出广阔的、不可替代的应用前景,预计将形成近十万亿规模的应用市场。二是上游衬底产能持续释放且量产技术趋于稳定,器件的产线规格尺寸更大,推动成本大幅下降。三是目前半绝缘衬底、大尺寸碳化硅衬底、氮化镓同质衬底、5G通信基站用氮化镓射频器件、大功率碳化硅
moSFEt器件等市场主要由国外厂商占据,随着国产企业技术突围,进口替代空间广阔。(二)第三代半导体是我国在半导体领域实现弯道超车的关键赛道,将会获得国家大力支持。与前两代半导体产业相比,第三代半导体对下游制造环节对设备的要求相对较低,投资额相对较小,能够在一定程度上摆脱对高精度光刻机为代表的先进加工设备的依赖,是我国在半导体领域实现突围的关键赛道。《中国制造*》中提出,到*年,第三代半导体在5G通信、高效能源管理中的国产化率要达到*%,在新能源汽车、消费电子中要实现规模应用,在通用照明市场渗透率要达到*%以上。此外,“十四五”期间是我国产业升级与“双碳”政策推进的关键阶段,第三代半导体材料是支撑制造业转型升级的重要保证,国家先后出台了《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》、《关于促进集成电路产业和软件产业高质量发展企业所得税政策的公告》,对于集成电路企业给予大力政策扶持。(三)第三代半导体产业竞争关键领域集中在上游材料端,龙头企业呈现加速扩张态势。第三代半导体在制程前端(材料取得、衬底、外延)环节难度较高,以碳化硅为例,衬底和外延约占总价值的*%。近年来国内主流半导体企业已经取得一系列技术突破,正处在调整产业布局,扩大产能的关键阶段。比如,三安光电在湖南布局了总投资*亿元的碳化硅全产业链生产基地;山东天岳在上海临港投资*亿元建设导电型衬底产业化项目,以适应未来巨大的电动汽车、储能市场需求布局;英诺赛科苏州基地于*年*月份实现量产,今年以来先后在美国硅谷、比利时鲁汶及韩国光明设立了销售和设计中心,订单需求量持续增加,拥有进一步扩大产能的需求和意愿;露笑科技在合肥投资*亿元建设第三代功率半导体产业园,主要建设碳化硅晶体生长、衬底制作、外延生长的研发生产。(四)第三代半导体呈现出器件材料一体化发展趋势,未来头部企业将以Idm(垂直整合制造)模式为主。Idm模式是半导体行业的一种解决方案,指由同一家公司从设计、制造、封装测试到销售自有品牌Ic都一手包办的半导体垂直整合型经营模式。第三代半导体产业与硅基半导体产业相比具有生产设备相对便宜,芯片设计受益于成熟的半导体工艺,风口资本投资充足等特点,非常适宜采用Idm模式发展。以碳化硅为例,使Idm厂商能够有效把控碳化硅产业链各环节,快速依循路径定位器件端问题源头,进而能够加快交货和品质改善周期,同时能够有效控制整体成本和提供更好的产品一致性。目前国内龙头企业如三安光电、泰克天润、基本半导体、英诺赛科等企业都在向Idm模式发展。三、我市第三代半导体产业发展情况我市在半导体行业上游的高纯材料、高纯气体方面拥有一定产业基础,在电子多晶硅、硅晶片、电子特气等细分领域拥有一定的产业优势,依托中硅高科、洛单集团、昊华气体等行业龙头企业建设有国内唯一的硅基材料制备技术国家工程研究中心、河南省超高纯硅材料工程研究中心、含氟电子气体制备河南省工程实